基于C-MOSI的紅外輻射源，SMD封裝

基于C-MOSI的紅外輻射源，SMD封裝

基于C-MOSI的紅外輻射源，SMD封裝

描述

適用于NDIR氣體分析和其他紅外測量應(yīng)用的經(jīng)濟(jì)型紅外輻射源。該發(fā)射器僅需250毫瓦輸入功率，也適合于移動和手持設(shè)備。這款基于CMOS的紅外輻射源的膜片能夠達(dá)到高達(dá)800°C的溫度，具有長期穩(wěn)定的輻射功率和短的時間常數(shù)。對于高容量應(yīng)用，如樓宇空調(diào)、自動化等，JSIR340因其出色的性價比而非常適合。

帶有反射器的封裝適合從2厘米的距離進(jìn)行測量。MEMS發(fā)射器芯片由多層熱板膜組成，包含一個高溫穩(wěn)定的金屬CMOSI層。發(fā)射器芯片基于硅襯底，采用背刻蝕膜技術(shù)。所有薄膜工藝均采用標(biāo)準(zhǔn)MEMS工藝和CMOS兼容材料完成。活性C-MOSI電阻層免受老化和環(huán)境影響。

應(yīng)用

l非色散紅外氣體檢測

l衰減全反射光譜法

l直接紅外光譜法

l光聲光譜法

目標(biāo)氣體

l二氧化碳（CO2）

l甲烷（CH4）

l丙烷（C3H8）

l乙醇（C2H5OH）

l其他紅外活性氣體

特點

l成本效益高的組件

l標(biāo)準(zhǔn)MEMS技術(shù)

l與CMOS兼容的制造工藝

l熱板溫度高達(dá)740 °C

l適當(dāng)?shù)妮椛漭敵?/span>

l由于熱質(zhì)量低，調(diào)制深度高

技術(shù)參數(shù)

1. 額定功率下的單位

2. 25°C - 700°C

3. 功率開啟狀態(tài)

4. 帶有25Ω熱電阻

5. 環(huán)境溫度為25°C時

6. 通過紅外相機(jī)（0.7-1.1μm）測量的熱點溫度降低10%后的溫度分布平均值

7. 連續(xù)模式下，平均排除障礙時間（MTTF）為63%（膜斷裂，基于阿倫尼烏斯定律的計算值）

8. 包括環(huán)境溫度

典型操作特性

電氣示意圖

電路

等效電路圖

機(jī)械制圖

底部

截面圖-TO46反射器開放式

產(chǎn)品概述